泰科tyco

　　OCP9225AH采用低Ron内部FET，工作范围为3V_DC至28V_DC，导通时Ron仅为18mΩ，很大的降低功率损耗。内部钳位器能够分流±100V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。
泰科tyco1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
一代气体传感器 BME690 搭载创新人工智能功能，可监测气体、温度、压力和湿度。BME690 以 Bosch Sensortec 的 BME688 和 BME680 传感器为基础，采用成熟且久经考验的平台予以精进。新款传感器与引脚兼容，并具有相同的 3 x 3 x 0.93 mm3 紧凑尺寸，使其易于集成至即插即用型升级产品。

英特尔正在将新的 Arc dGPU 添加到其现有产品组合中，包括 AI 增强型软件定义汽车 (SDV) 片上系统 (SoC)。一些入门级和中端汽车内饰级别可能适合使用 SoC 的集成显卡为驾驶舱供电。然而，英特尔表示，高端汽车可以通过 dGPU 提供更多功能。对于汽车制造商和开发商来说，更好的是，它表示为其 iGPU 平台开发的软件将与 A760A“完全兼容”。
　　GD32F5系列高性能MCU具备显著扩容的存储空间、优异的处理能效和丰富的接口资源，该系列MCU符合系统级IEC61508 SIL2功能安全标准，并且提供完整的软硬件安全方案，能够满足工业市场对高可靠性和高安全性的需求。目前，该系列产品已可提供样片，并将于5月正式量产供货。
泰科tyco为进一步满足更多应用场景的拓展，SC200P系列集成多星座GNSS 接收机，支持 GPS、GLONASS、BDS、Galileo 多种定位系统，可实现不同环境对快速、精准定位的要求。
　　与此同时，该模组还集成了丰富的接口，包括USB 2.0、PCIe 2.0、PCM、UART、SGMII和SPI等，支持多种驱动和软件功能，极大拓展了其在RedCap各领域的应用范围。
　　与此同时，全新SARA-R10系列还为u-blox广受欢迎的SARA封装提供了与LEXI-R10全球版模块相同的功能。随着2G和3G通信技术在全球范围内逐步停用，SARA-R10为使用u-blox SARA 2G和3G模块的产品设计人员提供了一条直接的升级途径，让他们可以轻松升级到目前及未来许多年广泛应用的全球蜂窝通信标准4G LTE。

　　为了帮助相连设备之间实现正确配置与通信，该产品具有专用显示数据通道/辅助通道 (DDC/AUX) 管脚与热插拔检测 (HPD) 管脚，连接成功时可让设备自动辨识。
泰科tycoQFN16 封装是一款表面贴装技术（SMT）解决方案，与 TSSOP16 相比，其所占面积小得多，非常适合空间有限的应用场景。可润湿的侧板有助于保障焊接质量，并适用于汽车级场景。根据系统架构的不同，新传感器还可以支持故障后不影响操作的概念。
多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET—SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
　　三星深耕AI科技与创新的同时，更积极履行社会责任。通过SFT科普创新大赛等教育项目，助力中国青少年科技人才的培养，同时在绿色、科技、乡村等多领域也在努力回馈中国社会。