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　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
te泰科官网　　电荷泵为高边驱动器供电，在车辆电池电压波动时，确保驱动器运行正常，在电压低至5.41V时，电荷泵仍能正常输出。在一个外部引脚上有电荷泵输出，可以用于控制电池装反保护电路的MOSFET开关管。
　　此次英特尔发布的G-Flow浸没式液冷解决方案集创新设计与高能效于一体，涵盖了创新的浸没式液冷机柜及其配套的液冷服务器散热解决方案。该方案采用了新颖的浸没式系统设计，可以在无需额外能耗的情况下，显著增加通过CPU或GPU散热器的冷却液流量。

　　美光展示了9550 SSD应对不同AI工作负载方面的数据表现：当使用 BaM 进行 GNN 训练时，SSD 平均功耗降低43%，整体系统能耗减少29%；应用于NVIDIA Magnum IO GPUDirect Storage时，每传输 1TB 数据，SSD 能耗降低81%；应用于MLPerf训练时， SSD 能耗降低35%，系统能耗降低13%；使用 Microsoft DeepSpeed 对 Llama LLM 训练进行微调时，SSD 能耗降低21%。
此外，M31支持MIPI显示屏和摄像头规范的关键特性，适用于ADAS和车载信息娱乐系统的应用，满足业界对高可靠性和功能安全的严格要求。M31提供丰富的MIPI相关IP组合，可以快速集成到SoC中，以满足广泛应用的设计要求。MIPI 技术还支持低功耗状态模式，在速度下功耗低于 1.1pJ/bit，并提供广泛的内置测试功能，包括模式生成器、逻辑分析仪和环回模式，方便开发人员进行测试和调试。
te泰科官网　　这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性，这意味着开关过程中的损耗极低。此外，该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目，有助于降低系统冷却需求，使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量，这些器件允许使用更小的散热器，从而节省了成本和空间。
推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。
　　MSD4100WA内部集成的16bits高精度ADC，用于将硅基线性霍尔的模拟信号转成数字信号；H桥恒流驱动模块可以提供±170mA的电流驱动能力；高精度的PID算法搭配美新自有的陀螺相关算法，可以提供压制比优于-35dB的拍照防抖效果。

　　Pasternack 1.0 mm 无源同轴组件均是现货库存且品类齐全，并且这些器件采用坚固的机械设计，确保了的信号相互作用，同时提供低插入损耗和优异的回波损耗特性。
te泰科官网新型汽车级IHDF边绕通孔电感器—IHDF-1300AE-1A，额定电流 72A，饱和电流高达 230A。Vishay Custom Magnetics IHDF-1300AE-1A采用铁氧体磁芯技术，厚度仅为15.4 mm，可在-55 °C至+155 °C恶劣温度条件下工作，交流和直流功耗低，具有优异的散热性能。
美光进一步缩小UFS 4.0的外形规格以实现更紧凑的 9mm x 13mm 托管型 NAND封装。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池。此外，新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%[[3]]，使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。
　Holtek新推出Sub-1GHz RF OOK/FSK Transmitter OTP MCU BC68R2123，扩大Holtek Sub-1GHz Tx系列产品涵盖面，并提供客户无线控制产品优势竞争力，适合各类无线控制，如铁卷门、电动门、灯控、吊扇、吊扇灯、开关、插座、安防、门铃、集成吊顶等产品应用。