德尔福

SFH 4726AS提供高效的红外光源，其辐射强度可达224mW/sr至450mW/sr，同时保持较低的热阻（9K/W），确保设备的高性能和可靠性。此外，该产品针对高亮度直流电运行进行优化，正向电压在2.8V至3.2V之间，保证在不同应用环境下的稳定性和效率。
德尔福　　LEXI-R10和SARA-R10可选择嵌入式eSIM卡，这两个模块还集成了Wi-Fi嗅探器，可通过u-blox CellLocate服务提供基于Wi-Fi和蜂窝通信网络的室内定位功能。
这一节能与性能兼备的特点节省了系统层面的材料用量（BOM），而小于10 uA的深度睡眠和小于1 uA的休眠模式则为低功耗和电池驱动的应用节省了宝贵的电能。

全新英飞凌PSOC Control MCU践行了公司在新一代电机控制和功率转换应用中实现高性能和高效率的承诺。凭借大量板载模拟功能、高性能定时器、硬件数学加速和丰富的设计工具生态，新半导体器件系列将支持系统设计人员为大批量和市场提供创新、节能的器件。
Linea Lite 8k 超分辨率相机。这款设计紧凑高效益的 GigE 线阵相机可输出 8K 超分辨率图像，可拍摄出通常需要两倍像素数量大小的相机才能拍摄的 8k 分辨率图像。
　　日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。
现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。
CoolMOS S7TA还依靠较高的过流阈值提高了SSR的可靠性，降低了发生故障的可能性。这一稳健的开关解决方案为提高车内运行安全奠定了基础，并且具有更高稳健性的MOSFET延长了汽车继电器的生命周期，从而降低维护和更换成本。

　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。
德尔福　　对此，通过利用基于村田特有的陶瓷及电极材料微粒化和均匀化的薄层成型技术以及高精度叠层技术，村田开发出尺寸为0.4mm×0.2mm的超小型低损耗片状多层陶瓷电容器，能保证在150℃的温度下工作、额定电压为100V。与村田之前的产品（0603M尺寸）相比，成功地实现了小型化，将贴装面积缩减了约35%，体积缩小了约55%。由此为无线通信模块的小型化做出了贡献。此外，产品小型化还有助于减少材料和生产过程中的能源消耗。
　　从三星Foundry部门来看，每季度销售1亿颗AP的联发科是其必须争取的潜在客户。目前联发科主要将高端芯片委托给台积电生产。随着联发科在智能手机半导体市场的影响力不断扩大，也正在成为新型移动DRAM产品的验证合作伙伴，进一步扩大两家公司的接触点。
　　意法半导体推出了TSB952双运算放大器 (运放)。新产品具有52MHz的增益带宽，在36V电压时，电源电流每通道仅为3.3mA，为注重功耗的设计带来高性能。