安波福线束

这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。
安波福线束　　OptiMOS? 6 200 V产品具有更出色的SOA并达到J-STD-020标准中的MSL 1等级。该半导体产品组合符合RoHS规范且不含铅，满足当前行业标准的要求。
　　SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8LR封装，外形尺寸为10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，占位面积比D2PAK封装减小50.8 %，高度降低66 %。由于封装采用顶侧冷却，因此具有出色的热性能，结壳（漏极）热阻仅为0.25 C/W。相同导通电阻下，额定电流比D2PAK封装高46 %，从而显著提高功率密度。此外，封装的鸥翼引线结构具有优异的温度循环性能。

推出了MX-DaSH系列数据-信号混合连接器。这款创新型连接器将电源、信号和高速数据传输整合在一个连接器中。MX-DaSH系列线对线和线对板连接器的设计目标是支持汽车向分区架构的转型，并满足各种新兴应用场合对可靠数据传输的需求。这些应用场合包括自动驾驶模块、摄像头系统、GPS和信息娱乐设备、激光雷达、高分辨率显示器以及传感器与设备之间的连接等。
大多数现代电子系统都依靠多个内部电压来运行各种功能，如计算、通信和执行功能（通常是加热、发光、发声或某种运动功能）。但每个变换级的损耗都会累加起来，从而降低整个系统的性能并产生热量。InnoMux-2 IC可轻松克服这一挑战，因为它采用一个单级的架构，即可提供多达三个独立的稳压输出或者两个恒压输出和一个恒流输出，从而可以以更少的元件实现结构紧凑且高效的电源子系统。
安波福线束　　作为一款64位商业级RISC-V处理器内核，Dubhe-70采用9+级流水线、三发射、超标量、乱序执行设计，支持丰富的RISC-V指令集——RV64GCBH。Dubhe-70 SPECint2006 7.2/GHz，性能对标Arm Cortex-A72/A510。
　　凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出，HAL/HAR 3936 能够提供灵活性，以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下，传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准，具备可配置的参数，如时间指示和帧格式。此外，该传感器具有两种功能模式，即应用模式和低功率模式，可通过输入信号进行选择，从而能够根据操作要求优化功耗。
　　OCP9227针对需要高度集成解决方案的应用。可以断开来自直流电源的负载，由一个慢速控制的低阻抗MOSFET开关(35mΩ典型)和集成的模拟功能组成。输出上升速率控制的导通特性防止了浪涌电流和由此导致电源的过度电压降。同时具有过压保护和过温保护。

CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。
安波福线束　　IT-M3100全系列产品具备诸多高性能功能，包括可设定的电压电流斜率、可调的CC/CV优先级及恒功率CP模式等。这些强大功能使其应用领域极为广泛，涵盖汽车电子、半导体加工与老化测试、航空航天与卫星测试、激光二极管、加热器、RF放大器与磁铁、水净化系统、医疗成像与治疗系统、3D打印、RF通信、电解制氢等。无论是研发还是生产，IT-M3100都能助您一臂之力。
　　这款器件边绕线圈的直流内阻（DCR）低至1.1mΩ，极大限度减少损耗，有助于改善额定电流性能，提高效率。与铁氧体解决方案相比，IHDF-1300AE-1A额定电流提高75%。器件采用超薄封装，便于设计师满足AEC-Q200标准严格的机械冲击和振动要求，同时降低基板高度，节省空间。
　　DELO-DOT PN5 LV 的尺寸为 68 mm × 19 mm × 90 mm（宽 x 深 x 高），结构紧凑，只需很小的空间即可安装在生产系统里。它重量仅 240 克，轻巧的结构令阀门可极快地加速，同时具备更小的轴和驱动构造。它还支持高速工艺，连续点胶频率可达 250 Hz。