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　　如今，智能网联汽车通过众多创新功能的集成，为驾乘人员带来更安全、更舒适、更经济的出行体验。这些功能涵盖了动力总成、驾驶辅助系统、车身控制、照明系统以及信息娱乐与安全系统等多个方面。为了实现这些功能，车辆内部部署了大量的电子控制单元（ECU），这些ECU通过车内的CAN总线网络相互连接，进行控制和数据的交互。
erni连接器官网NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟（SSC）可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。
　　美光工程师团队在其全球实验室中通过预测新兴使用场景、模拟现实应用环境以及与客户密切协作收集反馈，成功打造出这些创新的固件功能。在位于美国、中国和韩国的客户联合实验室中，美光与智能手机厂商密切合作，通过了解厂商面临的痛点问题，开发具有针对性的解决方案来解决技术瓶颈。

　　PIC32CZ CA MCU可通过多种连接选项进行配置，包括USART/UART、I2C、SPI、CAN FD、高速USB和千兆以太网。以太网连接选项包括音视频桥接 (AVB) 和基于IEEE 1588标准的时间协议 (PTP)。这些MCU采用100/144/176/208引脚TQFP和BGA封装，可通过2MB、4MB或8MB板载闪存、1MB SRAM和纠错码 (ECC) 存储器进行扩展，以减少数据损坏。
此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
erni连接器官网这离不开英飞凌的ModusToolbox软件、RTOS和Linux主机驱动程序、经过全面验证的蓝牙协议栈和多个示例代码、支持Matter软件，以及英飞凌全球合作伙伴的支持。
　　这款控制器能够让功率转换器缩减尺寸，同时提高额定输出功率。500kHz的开关频率允许使用小尺寸的电磁元件，当使用 GaN 晶体管时，还能限度地发挥宽带隙技术的优势。这款控制器采用意法半导体的绝缘体上硅 (SOI)制造工艺，在保证优异的鲁棒性的同时，还可以采用2mm x 2mm 的DFN-6L微型封装。
　　AC05 WSZ和AC05-AT WSZ采用坚固耐燃的硅酮水泥涂层，符合UL 94 V-0阻燃测试标准，适于严苛工作条件下使用。电阻器工作温度为-55 C至+250 C，绕线结构满足高温机械阻力、热冲击的严格要求。

　　英飞凌F-RAM存储器具有固有的抗辐射性能，该技术非常适合满足太空应用不断发展的任务要求，而这些应用历来使用的是速度较慢、不太坚固的EEPROM非易失性存储器。与同类产品相比，英飞凌产品的特点包括：更快的存储器随机存取速度；通过采用即时非易失性写入技术提高数据安全性；低功耗、极低的编程电压（低至2V）以及20 mA工作电流。
erni连接器官网高度稳健的CoolSiC?技术与.XT互连技术相结合，使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态，并且凭借连接技术和低正 RDS(on) 温度系数，即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。
　　钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。
　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。